д.т.н., профессор, зам. декана ф-та ?Электроника? по научной работе. Выпускник Московского государственного института радиотехники электроники и автоматики (1983 г.), в котором работает с 1983 г. Читает курсы лекций: ?Диэлектрики в микроэлектронике? и для аспирантов факультета электроники ‑ ?Физика, технология, производство и управление качеством изделий электронной техники?. Область научной специализации: микро- и наноэлектроника, физика и технология тонких пленок и наноструктур. Основные научные интересы связаны с экспериментальным исследованием процессов формирования тонких диэлектрических и сегнетоэлектрических пленок, структурных и физических свойств тонкопленочных гетероструктур, а также разработкой устройств микро- и наноэлектроники на основе новых физических принципов. Важнейшие научные результаты и публикации: К.А. Воротилов является автором 200 научных трудов, научным руководителем ряда грантов и НИОКР. Разработан метод химического осаждения из растворов (золь-гель метод) тонких пленок широкого спектра многокомпонентных оксидных соединений (силикатов, в т.ч. нанопористых и органически-модифицированных силикатов, оксидов (ZrO2 (Y2O3), TiO2), сегнетоэлектриков (LiNbO3, PbTixZr1-xO3, BaxSr1-xTiO3, SrZrxTi1-xO3, ZrxSn1-xTiO4, SrBi2Ta2O9 и др.)) для различных типов устройств. Проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования пленок методом химического осаждения из растворов с учетом динамики вращения, реологии вязких полимеров, динамики испарения растворителя и пористой микроструктуры пленок; впервые изучено влияние температуры подложки на процесс формирования пленок; изучены процессы кристаллизации в многокомпонентных сегнетоэлектрических оксидных пленках; исследованы механизмы переноса носителей заряда, диэлектрических потерь в аморфных и поликристаллических тонких пленках, переключения поляризации; впервые в мире созданы и исследованы сегнетоэлектрические нанотрубки. Проведенные исследования нашли практическое применение при создании устройств микро- и наноэлектроники. Разработаны новые типы устройств приема, обработки и хранения информации на основе пленок активных диэлектриков. В частности, впервые в России созданы образцы сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Разработаны и внедрены в промышленность процессы планаризации многоуровневой металлизации в сверхбольших интегральных схемах, клиновидного травления оксидных пленок, изолирующих и пассивирующих покрытий на полупроводниковых соединениях и пр.